• 學報動態“先進功率半導體器件及其封裝、集成與應用”專題征稿啟事
    2020-05-29 來源:  |  點擊率:
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    導語功率半導體器件是電力電子裝置的核心元件,對整個裝置的性能有著決定性影響。目前廣泛采用的硅功率半導體器件已趨近其理論極限,成為制約電力電子技術進一步發展的瓶頸之一,因此亟需在硅功率半導體器件已有研究上取得新突破。同時,以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶電力電子器件具有開關速度快、損耗低、耐高溫、耐高壓等特點,其性能遠超傳統的硅電力電子器件,是構建新一代電力能源系統的基礎支撐。但是,目前寬禁帶電力電子器件及其封裝、集成與應用中尚存在一系列基礎科學問題與關鍵技術難題,導致目前寬禁帶電力電子器件性能距離理論水平仍有較大差距。

            功率半導體器件是電力電子裝置的核心元件,對整個裝置的性能有著決定性影響。目前廣泛采用的硅功率半導體器件已趨近其理論極限,成為制約電力電子技術進一步發展的瓶頸之一,因此亟需在硅功率半導體器件已有研究上取得新突破。同時,以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶電力電子器件具有開關速度快、損耗低、耐高溫、耐高壓等特點,其性能遠超傳統的硅電力電子器件,是構建新一代電力能源系統的基礎支撐。但是,目前寬禁帶電力電子器件及其封裝、集成與應用中尚存在一系列基礎科學問題與關鍵技術難題,導致目前寬禁帶電力電子器件性能距離理論水平仍有較大差距。

            為了促進硅與寬禁帶功率半導體的相關研究,共享科學技術研究成果,《電工技術學報》編輯部特邀浙江大學盛況教授、國家電網全球能源互聯網研究院楊霏(教授級高工)擔任特邀主編,湖南大學王俊教授、西安交通大學王來利教授、華中科技大學王智強教授擔任特邀副主編。組織先進功率半導體器件及封裝、集成與應用專題。特向國內外專家、學者征稿,旨在通過學術會議加強交流,推動相關理論研究與技術發展。

    1.專題征稿范圍(包括但不限于)

    (1)硅、寬禁帶電力電子器件設計與工藝

    (2)硅、寬禁帶電力電子器件表征與建模方法

    (3)硅、寬禁帶電力電子器件高性能封裝

    (4)器件驅動、保護與其它輔助電路

    (5)器件高溫運行、高壓絕緣技術

    (6)高頻、高效、高功率密度變換器

    (7)可靠性評估與壽命預測

    (8)硅、寬禁帶變換器電磁干擾建模與抑制

    (9)高性能無源元件與磁集成技術

     2. 投稿要求

    1)研究性論文。

    2)綜述性論文,要求有全面的闡述和深刻的評論與見解。

    3. 重要日期

    1)專題投稿截止時間:2020年10月30日

    2)期刊論文預計刊出時間:2021年1-3月

    4. 投稿方式:

    請登錄雜志網站(http://www.ces-transaction.com)注冊作者用戶名投稿,投稿時請在投稿欄目(類型)中選擇先進功率半導體器件及封裝、集成與應用專題;格式請參考網站“投稿指南”中的論文全文模板或摘要模板。

    聯系人:

    《電工技術學報》編輯部郭麗軍   郵箱:glijun@126.com    電話:010-63256949

     

    特邀主編:

       況 教授             浙江大學 shengk@zju.edu.cn

    楊   霏 教授級高工   國家電網全球能源互聯網研究院 yangfei@geiri.sgcc.com.cn

    特邀副主編:

    王俊教授      湖南大學         junwang@hnu.edu.cn

    王來利教授  西安交通大學  llwang@mail.xjtu.edu.cn

    王智強 教授 華中科技大學 zhiqiangwang@hust.edu.cn

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